멀티 레벨 셀 메모리의 채널 모델링

초록

플래시 메모리는 최근 많은 전자제품에 이용되면서 많은 연구자들이 연구를 진행하고 있다. 그중, 단위 면적당 저장용량을 증가하기 위한 많은 연구들이 진행되고 있는데, 이를 위하여 메모리의 공정의 크기를 줄이는 연구 뿐 아니라, 최근에는 한 셀에 2비트 이상의 데이터를 저장 할 수 있는 멀티 레벨 셀 메모리의 연구가 진행되고 있다. 하지만, 한 셀에 멀티 비트를 저장하게 되면서 다양한 오류들로 인하여 저장된 데이터를 정확히 읽는 데 어려움이 많다. 본 논문에서는 멀티 레벨 셀 플래시 메모리의 오류 요인을 분석하고 그에 대한 멀티 레벨 셀 플래시 메모리의 채널을 모델링 하였다.

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